CISSOID シソイド

シソイド社は、ベルギーに本社を置く半導体及びICメーカであり、特に高温環境アプリケーション向け市場のリーディングカンパニーです。
ターゲット市場は多岐に渡り、オートモーティブ(e-Mobility)市場をはじめ、航空機器向けやオイル/ガス掘削機器向け等にも多くの採用実績があります。

オートモーティブ(e-Mobility)では、 SIC-MOSFETとゲートドライバ、コントロール回路を搭載したInteligent Power Module(IPM)をリリースし、e-Mobility向けインバータ回路の小型化、高効率化に寄与しております。
航空機器向け、オイル/ガス掘削機器向けでは、過酷な環境下に置かれるモータコントローラや電源向けとして、-55℃から+225℃まで動作する製品をリリースしております。

適応市場

電源

半導体

半導体ラインナップ

製品紹介

IPM(Intelligent Power Module)

IPMとは、パワースイッチとゲートドライバを統合した、3相1200VのSiC MOSFETインテリジェントパワーモジュールです。このモジュールは高電力密度のコンバータに対応し、高い接合部温度(175℃まで)で動作するように設計され、かつSiC技術の利点を最大限に活かし低スイッチング損失と高温動作により高い電力密度を実現しています。ゲートドライバーとパワーモジュールを統合することで、スイッチング速度と損失、dI/dtとdV/dtに対する堅牢性、パワーステージの保護(Desat、UVLO、AMC、SSD、Anti-overlapping)の観点から、最適化された製品になっております。 これらは水冷用のピンフィン付きAlSiCベースプレートと、液体冷却がオプションではないアプリケーション用のフラットなAlSiCベースプレートモジュールもあります。詳しくは弊社迄お問い合わせください。

IPM製品ラインナップ

モデル名 Max VDS Max IDC Typ. Ron ベースプレート
CXT-PLA3SA12340AA 1,200V 340A 4.19 mΩ ピンフィン
CXT-PLA3SA12450AA 1,200V 450A 3.25 mΩ ピンフィン
CXT-PLA3SA12550AA 1,200V 550A 2.53 mΩ ピンフィン
CMT-PLA3SB12340AA 1,200V 340A 3.25 mΩ フラット

EV車載向け SiCインバータプラットフォーム まもなくリリース!

シソイド社(Cissoid)とシリコンモビリティ社(Silicon Mobility)で共同開発したSicインバータプラットフォームを2022年7月頃販売予定です。
車載向けSiCモジュールと車載用マイコンFPCU(Field Programmable Control Unit)を統合し
小型高効率で、EVモーター駆動用に特化した製品です。
日本パナトロニックは、今後随時詳細を掲載してまいります。

SIC-ゲートドライバー

ワイドバンドギャップ半導体、特に炭化ケイ素(SiC)は、高効率で電力密度が高く、電気自動車(EV)や、モータードライブ・インバータやバッテリーチャージャーなどの産業用電力変換器に最適な技術です。
しかし、SiC半導体の高速スイッチングと低損失を最大限に生かすためには、寄生インダクタンスが小さく最適化されたパワーモジュールを入手することと、それらを確実かつ効率的に駆動する堅牢で高速なゲートドライバーを見つけることの2点が課題となっています。シソイド社は、SiC MOSFETパワーモジュールに最適な125℃(Ta)定格の高電圧ゲートドライバを提供しています。

DC/DCコンバーター

シソイド社のDC/DCコンバーターは高温・高効率を両立するために独自の技術で構成されています。

・動作ジャンクション温度: -55°C~+225°C(225°Cで最大70%の効率)

Vin:最大400V
Vout:最大25V, 対称および多重
同期モードあり
ライン・レギュレーション:±0.5%以下(Pout=50%、Vin:150V〜350Vの場合
ロード・レギュレーション +/-Vin=250VおよびPout=0%〜100%において±1%以内
温度安定性:80ppm/℃ (Vin=250V、Pout=50%のとき)
出力電力は最大150W
保護回路あり