シソイド社(CISSOID)とシリコンモビリティは、最大350kW/850VのEV-モーター駆動をサポートするSiC-インバーターリファレンスデザインを提供するためパートナーシップを発表しました。このリファレンスデザインには、CISSOIDの高電圧SiCベースのパワーモジュール、統合ゲートドライバボード、シリコンモビリティ社の超高速で安全なOLEA T222 FPCUを搭載した制御ボード、DCおよび位相電流センサ、DCリンクコンデンサ、EMIフィルタリング、統合液体冷却が含まれています。また、CISSOIDは、EV車のパワートレイン制御のためのシリコンモビリティ社のOLEA® APP INVERTERソフトウェアを販売し、お客様へ統合作業のための開発プラットフォームを提供します。

IPMとは、パワースイッチとゲートドライバを統合した、3相1200VのSiC MOSFETインテリジェントパワーモジュールです。このモジュールは高電力密度のコンバータに対応し、高い接合部温度（175℃まで）で動作するように設計され、かつSiC技術の利点を最大限に活かし低スイッチング損失と高温動作により高い電力密度を実現しています。ゲートドライバーとパワーモジュールを統合することで、スイッチング速度と損失、dI/dtとdV/dtに対する堅牢性、パワーステージの保護（Desat、UVLO、AMC、SSD、Anti-overlapping）の観点から、最適化された製品になっております。 これらは水冷用のピンフィン付きAlSiCベースプレートと、液体冷却がオプションではないアプリケーション用のフラットなAlSiCベースプレートモジュールもあります。詳しくは弊社迄お問い合わせください。

ワイドバンドギャップ半導体、特に炭化ケイ素（SiC）は、高効率で電力密度が高く、電気自動車（EV）や、モータードライブ・インバータやバッテリーチャージャーなどの産業用電力変換器に最適な技術です。
しかし、SiC半導体の高速スイッチングと低損失を最大限に生かすためには、寄生インダクタンスが小さく最適化されたパワーモジュールを入手することと、それらを確実かつ効率的に駆動する堅牢で高速なゲートドライバーを見つけることの2点が課題となっています。シソイド社は、SiC MOSFETパワーモジュールに最適な125℃(Ta)定格の高電圧ゲートドライバを提供しています。

シソイド社のDC/DCコンバーターは高温・高効率を両立するために独自の技術で構成されています。

・動作ジャンクション温度: -55°C～+225°C(225°Cで最大70%の効率)

Vin：最大400V
Vout：最大25V, 対称および多重
同期モードあり
ライン・レギュレーション：±0.5%以下（Pout=50%、Vin：150V〜350Vの場合
ロード・レギュレーション +/-Vin=250VおよびPout=0%〜100%において±1%以内
温度安定性：80ppm/℃ （Vin=250V、Pout=50%のとき)
出力電力は最大150W
保護回路あり