CISSOID シソイド

シソイド社は、ベルギーに本社を置く半導体及びICメーカであり、特に高温環境アプリケーション向け市場のリーディングカンパニーです。
ターゲット市場は多岐に渡り、オートモーティブ(e-Mobility)市場をはじめ、航空機器向けやオイル/ガス掘削機器向け等にも多くの採用実績があります。

オートモーティブ(e-Mobility)では、 SIC-MOSFETとゲートドライバ、コントロール回路を搭載したInteligent Power Module(IPM)をリリースし、e-Mobility向けインバータ回路の小型化、高効率化に寄与しております。
航空機器向け、オイル/ガス掘削機器向けでは、過酷な環境下に置かれるモータコントローラや電源向けとして、-55℃から+225℃まで動作する製品をリリースしております。

適応市場

半導体ラインナップ

新製品紹介

オンボード(車載) 245kW(最大463kW)出力 SiC‐インバーターリファレンスデザイン

車載用に開発されたSiC-インバーターです。

特徴
・幅広いDC入力レンジ:DC50V~850V
・出力レンジ:~245kW(ピーク463kW)
・EMIフィルターとDC入力側コンデンサ 搭載
・モーターコントローラー搭載(Ultra-fast OLEA® T222 FPCU control board)
・寸法:381 x 220 x 90(mm)
・液冷(液体で冷却)

インバータ特性項目 単位
DC バス電圧 – 動作電圧 50-850 VDC
最大DCバス電圧-非動作時 900 VDC
最大相電流(定常状態) 250 ARMS
最大モータ電流(60s) 670 ARMS
定格出力電力(定常状態) 245 kW
最大出力電力(60s) 463 kW
出力周波数 100 to 2000 Hz
インバーターPWM周波数 最大 50 kHz
DCリンクキャパシタ 135 - 500 μF
DCバス 放電時間(パッシブ) <60s s
車両バッテリー電圧供給 6 ~ 36 Vdc
動作温度範囲(水冷時) -40 to +65 °C
冷却水流量 2 to 20 L/min
外形寸法 381 x 220 x 90 mm
最大出力電力時の効率 >99% %

製品紹介

最大350kW/850V EV向けSiCインバーターリファレンスデザイン

シソイド社(CISSOID)とシリコンモビリティは、最大350kW/850VのEV-モーター駆動をサポートするSiC-インバーターリファレンスデザインを提供するためパートナーシップを発表しました。このリファレンスデザインには、CISSOIDの高電圧SiCベースのパワーモジュール、統合ゲートドライバボード、シリコンモビリティ社の超高速で安全なOLEA T222 FPCUを搭載した制御ボード、DCおよび位相電流センサ、DCリンクコンデンサ、EMIフィルタリング、統合液体冷却が含まれています。また、CISSOIDは、EV車のパワートレイン制御のためのシリコンモビリティ社のOLEA® APP INVERTERソフトウェアを販売し、お客様へ統合作業のための開発プラットフォームを提供します。

インバータ特性項目 EVK-PLA1050B-74 EVK-PLA1050B-76 EVK-PLA1050B-94 EVK-PLA1050B-96 単位
DC バス電圧 – 動作電圧 100-650 100-650 100-800 100-800 VDC
最大DCバス電圧-非動作時 700 700 850 850 VDC
モータ電流(連続) 275 400* 275 400* ARMS
最大モータ電流(60s) 290 420* 290 420* ARMS
定格出力電力 150 250 200 300 kW
最大出力電力(60s) 180 280 240 330 kW
出力周波数 DC to 2000 Hz
効率 >99 %
DCリンクキャパシタ 320 ± 10% 320 ± 10% 135 ± 10% 135 ± 10% μF
DCバス 放電時間 Passive with Tdischarge < 60s Passive with Tdischarge < 60s Passive with Tdischarge < 60s Passive with Tdischarge < 60s s
インバータPWM周波数 < 30 < 30 < 30 < 30 kHz
AUX 供給電圧 8 to 30 VDC
動作温度範囲(水冷時) -40 to +65 °C
冷却水流量 2 to 10 L/min
冷却水圧損失 0.75(10.9) 1.5(21.8) 0.75(10.9) 1.5(21.8) bar (PSI)
最大冷却水圧 2 (29) bar (PSI)
(@70°C / 10L/min)
ケーブルグランド サイズ M32
導体のサイズ #(3/0) / 85 #(4/0) / 120 #(3/0) / 85 #(4/0) / 120 #AWG
/ mm²
ケーブルの外形 16 ~ 25 mm
外形寸法 394 x 407 x 91 mm
IPM(Intelligent Power Module)

IPMとは、パワースイッチとゲートドライバを統合した、3相1200VのSiC MOSFETインテリジェントパワーモジュールです。このモジュールは高電力密度のコンバータに対応し、高い接合部温度(175℃まで)で動作するように設計され、かつSiC技術の利点を最大限に活かし低スイッチング損失と高温動作により高い電力密度を実現しています。ゲートドライバーとパワーモジュールを統合することで、スイッチング速度と損失、dI/dtとdV/dtに対する堅牢性、パワーステージの保護(Desat、UVLO、AMC、SSD、Anti-overlapping)の観点から、最適化された製品になっております。 これらは水冷用のピンフィン付きAlSiCベースプレートと、液体冷却がオプションではないアプリケーション用のフラットなAlSiCベースプレートモジュールもあります。詳しくは弊社迄お問い合わせください。

IPM製品ラインナップ

モデル名 Max VDS Max IDC Typ. Ron ベースプレート
CXT-PLA3SA12340AA 1,200V 340A 4.19 mΩ ピンフィン
CXT-PLA3SA12450AA 1,200V 450A 3.25 mΩ ピンフィン
CXT-PLA3SA12550AA 1,200V 550A 2.53 mΩ ピンフィン
CMT-PLA3SB12340AA 1,200V 340A 3.25 mΩ フラット

EV車載向け SiCインバータプラットフォーム 

シソイド社(Cissoid)とシリコンモビリティ社(Silicon Mobility)で共同開発したSicインバータプラットフォームを2022年7月頃販売予定です。
車載向けSiCモジュールと車載用マイコンFPCU(Field Programmable Control Unit)を統合し
小型高効率で、EVモーター駆動用に特化した製品です。

SIC-ゲートドライバー

ワイドバンドギャップ半導体、特に炭化ケイ素(SiC)は、高効率で電力密度が高く、電気自動車(EV)や、モータードライブ・インバータやバッテリーチャージャーなどの産業用電力変換器に最適な技術です。
しかし、SiC半導体の高速スイッチングと低損失を最大限に生かすためには、寄生インダクタンスが小さく最適化されたパワーモジュールを入手することと、それらを確実かつ効率的に駆動する堅牢で高速なゲートドライバーを見つけることの2点が課題となっています。シソイド社は、SiC MOSFETパワーモジュールに最適な125℃(Ta)定格の高電圧ゲートドライバを提供しています。

DC/DCコンバーター

シソイド社のDC/DCコンバーターは高温・高効率を両立するために独自の技術で構成されています。

・動作ジャンクション温度: -55°C~+225°C(225°Cで最大70%の効率)

Vin:最大400V
Vout:最大25V, 対称および多重
同期モードあり
ライン・レギュレーション:±0.5%以下(Pout=50%、Vin:150V〜350Vの場合
ロード・レギュレーション +/-Vin=250VおよびPout=0%〜100%において±1%以内
温度安定性:80ppm/℃ (Vin=250V、Pout=50%のとき)
出力電力は最大150W
保護回路あり